1N747DE3TR和JAN1N747D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N747DE3TR JAN1N747D-1 1N747D-1E3TR

描述 DO-35 3.6V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDO-35 3.6V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW - 500 mW

稳压值 3.6 V 3.6 V 3.6 V

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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