ATP101和ATP101-TL-H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATP101 ATP101-TL-H

描述 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ApplicationsP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor

数据手册 --

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - TO-252-3

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.023 Ω

耗散功率 - 30 W

漏源极电压(Vds) - 30 V

上升时间 - 70 ns

输入电容(Ciss) - 875pF @10V(Vds)

下降时间 - 70 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 30W (Tc)

极性 - -

阈值电压 - -

连续漏极电流(Ids) - -

长度 - 6.5 mm

宽度 - 7.3 mm

高度 - 1.5 mm

封装 - TO-252-3

材质 - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

最小包装 - -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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