W25Q16FWSSIQ TR和W25Q16DWSSIG TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q16FWSSIQ TR W25Q16DWSSIG TR W25Q16FWSSIQ

描述 IC FLASH 16Mbit 4KB 8SOPIc Flash 16Mbit 104MHz 8soicFlash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 1.8V 16M-bit 2M x 8 6ns 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压 1.65V ~ 1.95V 1.65V ~ 1.95V 1.65V ~ 1.95V

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 6 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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