AS4C32M32MD1-5BCN和AS4C32M32MD1-5BCNTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C32M32MD1-5BCN AS4C32M32MD1-5BCNTR

描述 DDR DRAM, 32MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-90动态随机存取存储器 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

时钟频率 200 MHz -

存取时间 5 ns -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

工作温度 -25℃ ~ 85℃ (TJ) -25℃ ~ 85℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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