对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.4INCH, FM-2Trans RF BJT NPN 65V 0.035A 3Pin Case M-216Trans RF BJT NPN 65V 22A 4Pin Case M-112
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 - 3 4
封装 - M-216 M-112
安装方式 - Chassis -
耗散功率 - 1000000 mW 1458000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - - 65 V
增益 - - 6.5 dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 5 @250mA, 5V
额定功率(Max) - - 1458 W
工作温度(Max) - 250 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1000000 mW 1458000 mW
高度 - 5.84 mm 5.64 mm
封装 - M-216 M-112
工作温度 - - 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free