GE28F160C3TD70和GT28F160C3TA90

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GE28F160C3TD70 GT28F160C3TA90 GE28F160C3BD70

描述 Advanced Boot Block Flash Memory (C3)Advanced Boot Block Flash Memory (C3)Advanced Boot Block Flash Memory (C3)

数据手册 ---

制造商 Intel (英特尔) Intel (英特尔) Intel (英特尔)

分类 Flash芯片主动器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 VFBGA VFBGA VFBGA

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.60V (max) -

时钟频率 70.0 GHz 90.0 GHz -

存取时间 70.0 ns 90.0 ns -

内存容量 16000000 B 16000000 B -

封装 VFBGA VFBGA VFBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

ECCN代码 EAR99 - -

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