对比图
型号 IRF7424 IRF7424GPBF IRF7424PBF
描述 SOIC P-CH 30V 11ASOIC P-CH 30V 11AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SO-8 SOIC SO-8
额定电压(DC) -30.0 V - -
额定电流 -11.0 A - -
正向电压 -1.20 V - -
漏源极电阻 13.5 mΩ - 22 mΩ
极性 P-Channel P-CH P-CH
耗散功率 2.50 W - 2.5 W
产品系列 IRF7424 - -
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A 11A
上升时间 23 ns - 23 ns
下降时间 76 ns - 76 ns
额定功率 - - 2.5 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源击穿电压 - - 30 V
输入电容(Ciss) - - 4030pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)
封装 SO-8 SOIC SO-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free