IS41LV16256B-35K和IS41LV16256B-35KL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS41LV16256B-35K IS41LV16256B-35KL IS41LV16256C-35TLI

描述 DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin SOJDRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin SOJ4M, 3.3V EDO DRAM, Async, 256Kx16, 35ns, 40Pin TSOP II, RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 40 40

封装 SOJ SOJ TSOP-40

供电电流 - - 230 mA

位数 16 16 16

存取时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 - - 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

存取时间 - 35.0 ns -

内存容量 - 4000000 B -

封装 SOJ SOJ TSOP-40

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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