对比图
型号 APT40GT60BRG STGY40NC60VD STGW40NC60V
描述 迅雷IGBT Thunderbolt IGBTIGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。N沟道50A - 600V TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 80.0 A 50.0 A 50.0 A
耗散功率 345 W 260 W 260 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 345 W 260 W 260 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 345000 mW 260000 mW 260000 mW
极性 - N-Channel N-Channel
上升时间 - 19.0 ns 17.0 ns
输入电容 - 4550 pF -
漏源极电压(Vds) - 600 V -
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A -
热阻 - 50 ℃/W -
反向恢复时间 - 44 ns -
长度 21.46 mm 15.9 mm 15.75 mm
宽度 16.26 mm 5.3 mm 5.15 mm
高度 5.31 mm 20.3 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99