TL084IDT和TL084IN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL084IDT TL084IN LF347DR

描述 STMICROELECTRONICS  TL084IDT  四路运算放大器STMICROELECTRONICS  TL084IN  运算放大器, 四路, 4 MHz, 4个放大器, 16 V/µs, 6V 至 36V, DIP, 14 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LF347DR  运算放大器, 四路, 3 MHz, 4个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 14 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 DIP-14 SOIC-14

电源电压(DC) 36.0 V 36.0 V -

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 8 mA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

针脚数 14 14 14

耗散功率 680 mW 680 mW 0.608 W

带宽 4 MHz 4 MHz 3 MHz

转换速率 16.0 V/μs 16.0 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 4 MHz 3 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 5 mV

输入偏置电流 20 pA 20 pA 50 pA

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 4 MHz 4 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 680 mW 680 mW 608 mW

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 70 dB

电源电压 6V ~ 36V 6V ~ 36V -

工作电压 7V ~ 36V - -

输出电流 40 mA - -

共模抑制比 80 dB - 70 dB

电源电压(Max) 36 V - -

电源电压(Min) 6 V - -

输入补偿漂移 - - 10.0 µV/K

长度 8.75 mm 20 mm 8.65 mm

宽度 4 mm 7.1 mm 3.91 mm

高度 1.65 mm 5.1 mm 1.5 mm

封装 SOIC-14 DIP-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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