BCP52-16和BCP52-16,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP52-16 BCP52-16,115

描述 低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTORNXP BCP52-16,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 145 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) -60.0 V -

额定电流 -1.00 A -

耗散功率 1400 mW 650 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 -

额定功率(Max) 1.4 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1400 mW 1 W

频率 - -

针脚数 - 3

极性 - -

集电极最大允许电流 - -

直流电流增益(hFE) - 100

额定功率 - 1.35 W

长度 6.5 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm

高度 1.8 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

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