DS2003CN和MC1413PG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS2003CN MC1413PG ULN2003AP

描述 PDIP NPN 55V 0.5AON SEMICONDUCTOR  MC1413PG  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPPDIP NPN 50V 0.5A

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 16 16 16

封装 PDIP-16 PDIP-16 DIP-16

电源电压(DC) 5.00 V, 5.00 V (max) 30.0 V -

输出接口数 7 - -

输出电压 55.0 V 50 V -

输出电流 350 mA 500 mA -

电路数 1 - -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 55 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

额定电流 - 500 mA 500 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 16 -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V -

直流电流增益(hFE) - 1000 -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -20 ℃ -

输入电压 - 30 V -

额定电压(DC) - - 50.0 V

封装 PDIP-16 PDIP-16 DIP-16

长度 - 19.55 mm -

宽度 - 6.85 mm -

高度 - 3.43 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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