IXGH30N60C2D1和IXGT30N60C2D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH30N60C2D1 IXGT30N60C2D1 STGW40NC60WD

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin(2+Tab) TO-268STMICROELECTRONICS  STGW40NC60WD  单晶体管, IGBT, 70 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 40.0 A

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 250 W

输入电容 - - 2.90 nF

栅电荷 - - 126 nC

漏源极电压(Vds) - - 650 V

连续漏极电流(Ids) - - 40.0 A

上升时间 - - 12.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 25 ns 25 ns 45 ns

额定功率(Max) 190 W 190 W 250 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190000 mW - 250000 mW

长度 - 16.05 mm 15.75 mm

宽度 - 14 mm 5.15 mm

高度 - 5.1 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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