IXFH28N60P3和IXFV26N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH28N60P3 IXFV26N60P IXTV26N60PS

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH28N60P3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 28 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 VPLUS N-CH 600V 26ATrans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.26 Ω 270 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 695 W 460 W 460 W

阈值电压 5 V 5 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 28A 26.0 A 26.0 A

上升时间 18 ns 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 3560pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)

下降时间 19 ns 21 ns 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 695W (Tc) 460W (Tc) 460W (Tc)

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 26.0 A 26.0 A

输入电容 - 4.15 nF 4.15 nF

栅电荷 - 72.0 nC 72.0 nC

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 600 V -

长度 16.26 mm 11 mm 11 mm

宽度 5.3 mm 4.7 mm 15 mm

高度 21.46 mm 15 mm 4.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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