对比图
型号 JAN2N6274 JANTX2N6284 JAN2N6277
描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-204
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 175 W -
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 150 V
集电极最大允许电流 50A 20A 50A
最小电流放大倍数(hFE) - 1250 @10A, 3V 30 @20A, 4V
额定功率(Max) - 175 W 250 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 175000 mW 250000 mW
封装 TO-3 TO-3 TO-204
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -