199D105X9035A1V1E3和MCDT1K35-1-RH

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D105X9035A1V1E3 MCDT1K35-1-RH 199D105X9035A1V1

描述 VISHAY  199D105X9035A1V1E3  钽电容, 1uF, 35V, 径向引线MULTICOMP  MCDT1K35-1-RH  钽电容, MCDT系列, 1 µF, ± 10%, 35 V, 径向引线, 2.5 mmVISHAY  199D105X9035A1V1  钽电容, 1uF, 35V, 径向引线

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Multicomp Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容钽电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

引脚间距 2.54 mm 2.5 mm 2.54 mm

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V 35 V

电容 1 µF 1 µF 1 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压 35 V 35 V 35 V

等效串联电阻(ESR) - 8 Ω -

产品系列 - MCDT -

高度 7.11 mm 5.5 mm 7.11 mm

引脚间距 2.54 mm 2.5 mm 2.54 mm

直径 - Φ4mm -

长度 - - 7.11 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

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