IPP60R125CP和IPW60R125CP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP60R125CP IPW60R125CP STP30NM60N

描述 INFINEON  IPP60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPW60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V , 0.1 Ω , 25 A ,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247 , D2PAK , I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 208 W 208 W 190W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A 12.5 A

输入电容(Ciss) 2500pF @100V(Vds) 2500pF @100V(Vds) 2700pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 208 W 208W (Tc) 190W (Tc)

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 25.0 A 25.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.11 Ω 0.11 Ω -

阈值电压 3 V 3 V -

输入电容 2.50 nF 2.50 nF -

栅电荷 70.0 nC 70.0 nC -

上升时间 - 5 ns -

额定功率(Max) 208 W 208 W -

下降时间 5 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

长度 10.36 mm 16.13 mm -

宽度 4.57 mm 5.21 mm -

高度 15.95 mm 21.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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