BZX55C4V7-TAP和BZX79-C4V7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C4V7-TAP BZX79-C4V7 BZX55-C4V7

描述 500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorNXP  BZX79-C4V7  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °CZener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.5W,

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Galaxy Semi-Conductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Axial -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35-2 DO-35 -

针脚数 2 2 -

耗散功率 500 mW 500 mW -

稳压值 4.7 V 4.7 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ -

容差 ±5 % - -

额定功率 0.5 W - -

正向电压 1.5V @200mA - -

测试电流 5 mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

耗散功率(Max) 0.5 W - -

封装 DO-35-2 DO-35 -

长度 3.9 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Each Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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