IDT70T631S15BF和IDT70V631S15BF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70T631S15BF IDT70V631S15BF IDT70V631S15BF8

描述 HIGH -SPEED 2.5V 512 / 256K ×18异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE高速3.3V 256K ×18异步双端口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAMDual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

ECCN代码 3A991 3A991 3A991

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 Contains Lead - -

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