FDS6900AS和FDS6900AS_NL

对比图

型号 FDS6900AS FDS6900AS_NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6900AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.9 A, 30 V, 27 mohm, 10 V, 1.9 V双N沟道的PowerTrench SyncFET Dual N-Ch PowerTrench SyncFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 8.20 A -

额定功率 1.6 W -

通道数 2 -

针脚数 8 -

漏源极电阻 27 mΩ -

极性 Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W -

阈值电压 1.9 V -

输入电容 570 pF -

栅电荷 10.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.90 A, 8.20 A 6.9A/8.2A

上升时间 4 ns -

输入电容(Ciss) 600pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW -

下降时间 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW -

长度 5 mm -

宽度 3.99 mm -

高度 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99