APL502L和APL502LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APL502L APL502LG

描述 线性MOSFET LINEAR MOSFETTO-264 N-CH 500V 58A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264 TO-264-3

额定电压(DC) - 500 V

额定电流 - 58.0 A

漏源极电阻 - 90 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 730 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 9.00 nF

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V

连续漏极电流(Ids) 58A 58.0 A

上升时间 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 7485pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 730000 mW 730W (Tc)

长度 - 26.49 mm

宽度 - 20.5 mm

高度 - 5.21 mm

封装 TO-264 TO-264-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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