对比图
型号 2N6764 JANTX2N6764
描述 Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
数据手册 --
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 - TO-3
耗散功率 - 4 W
漏源极电压(Vds) - 100 V
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc)
封装 - TO-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Bulk
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead