对比图
型号 IRFP048N IRFP048NPBF IRFP048
描述 TO-247AC N-CH 55V 64AN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 -
额定功率 - 130 W -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 16.0 mΩ (max) 0.016 Ω -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 140W (Tc) 140 W -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 1900pF @25V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -
漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V -
连续漏极电流(Ids) 64.0 A 64A -
上升时间 78.0 ns 78 ns -
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) -
下降时间 - 48 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) -
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 36.0 A - -
产品系列 IRFP048N - -
长度 - 15.9 mm -
宽度 - 5.31 mm -
高度 - 20.3 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Rail, Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -