对比图
型号 AON7514 AON7534 SIRA18DP-T1-GE3
描述 DFN N-CH 30V 30AN沟Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Vishay Intertechnology
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 -
封装 DFN-8 DFN-8 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 3W (Ta), 23W (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 30A 30A -
上升时间 2.5 ns 3.3 ns -
输入电容(Ciss) 951pF @15V(Vds) 1037pF @15V(Vds) -
下降时间 4 ns 4.3 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3W (Ta), 23W (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) -
额定功率 - 9 W -
额定功率(Max) - 3 W -
封装 DFN-8 DFN-8 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -