对比图
描述 NXP BSP19,115 单晶体管 双极, NPN, 350 V, 70 MHz, 1.2 W, 100 mA, 40 hFEON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Power Bipolar Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 3 -
封装 TO-261-4 SOT-223 -
频率 70 MHz - -
针脚数 4 - -
极性 NPN NPN -
耗散功率 1.2 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350V -
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V - -
额定功率(Max) 1.2 W - -
直流电流增益(hFE) 40 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 1200 mW - -
额定电压(DC) - 350 V -
额定电流 - 1.00 A -
长度 6.7 mm - -
宽度 3.7 mm - -
高度 1.7 mm - -
封装 TO-261-4 SOT-223 -
工作温度 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Reel -
RoHS标准 RoHS Compliant Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -