对比图
型号 IXFN230N10 IXFN280N085 STE250NS10
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN230N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 85V 280ASTMICROELECTRONICS STE250NS10 晶体管, MOSFET, N沟道, 125 A, 100 V, 0.0045 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
安装方式 Chassis - Screw
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.006 Ω 4.4 mΩ 4.5 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 700 W 700 W 500 W
漏源极电压(Vds) 100 V 85 V 100 V
漏源击穿电压 - 85 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 230 A 280A 220 A
上升时间 150 ns 95 ns 380 ns
输入电容(Ciss) 19000pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 31000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 700 W 700 W 500 W
下降时间 60 ns 33 ns 300 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700W (Tc) 700W (Tc) 500W (Tc)
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 220 A
额定功率 - - 500 W
针脚数 4 - 4
阈值电压 4 V - 3 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 38.23 mm 38.2 mm
宽度 25.42 mm 25.42 mm 25.5 mm
高度 - 9.6 mm 9.1 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99