对比图
型号 IRFB5620PBF IRFZ14PBF STP40NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 60 mΩ 0.2 Ω 0.038 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 14 W 43 W 160 W
产品系列 IRFB5620 - -
阈值电压 5 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 10.0 A 25.0 A, 40.0 A
输入电容(Ciss) 1710pF @50V(Vds) 300pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 144 W 43 W 160 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 60.0 V 200 V
额定电流 - 10.0 A 40.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
输入电容 - - 2.50 nF
栅电荷 - - 75.0 nC
漏源击穿电压 - 60.0 V 200 V
上升时间 - 50 ns 44 ns
下降时间 - 19 ns 22 ns
耗散功率(Max) - 43 W 160W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.41 mm 10.4 mm
宽度 - 4.7 mm 4.6 mm
高度 - 9.01 mm 15.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99