IRFS3107PBF和IRFS3207ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3107PBF IRFS3207ZPBF AUIRFS3107TRL

描述 INFINEON  IRFS3107PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.35 VINFINEON  IRFS3207ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0025 Ω 0.0033 Ω 0.0025 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 370 W 300 W 370 W

阈值电压 2.35 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 230A 170A 230A

上升时间 110 ns 68 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 9370pF @50V(Vds) 6920pF @50V(Vds) 9370pF @50V(Vds)

下降时间 100 ns 68 ns 100 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370000 mW 300W (Tc) 370W (Tc)

额定功率 370 W 300 W -

额定功率(Max) - 300 W -

宽度 - 9.25 mm 6.22 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

高度 4.83 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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