对比图
型号 IXTQ26N50P STW20NK50Z SPP04N80C3
描述 N沟道 500V 26AN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 800 V
额定电流 26.0 A 17.0 A 4.00 A
耗散功率 400W (Tc) 190 W 63 W
输入电容 3.60 nF 2600 pF -
栅电荷 65.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 17.0 A 4.00 A
上升时间 25 ns 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 400 W 190 W 63 W
下降时间 20 ns 15 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 190W (Tc) 63W (Tc)
额定功率 - 190 W 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.23 Ω 1.1 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源击穿电压 - 500 V 800 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-220-3
长度 - 15.75 mm 10 mm
宽度 - 5.15 mm 4.4 mm
高度 - 20.15 mm 15.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -