NJL3281DG和NJL4281DG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NJL3281DG NJL4281DG NJL3281D

描述 ON SEMICONDUCTOR  NJL3281DG  单晶体管 双极, NPN, 260 VDC, 30 MHz, 200 W, 15 A, 45 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  NJL4281DG  双极性晶体管, NPN, 350V, TO-264补充ThermalTrak晶体管 Complementary ThermalTrak Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 5 5 -

封装 TO-264-5 TO-264-5 TO-264-5

频率 30 MHz - -

额定电压(DC) 260 V 260 V 260 V

额定电流 15.0 A 15.0 A 25.0 A

针脚数 5 5 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 W 230 W 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 260 V 350 V 260 V

集电极最大允许电流 15A 15A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 75 80 @5A, 5V 75 @5A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 150 - -

额定功率(Max) 200 W 230 W 200 W

直流电流增益(hFE) 45 250 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 230000 mW -

增益频宽积 - 35 MHz 30 MHz

长度 19.89 mm 19.89 mm 19.89 mm

宽度 4.89 mm 4.89 mm 4.89 mm

高度 25.98 mm 25.98 mm 25.98 mm

封装 TO-264-5 TO-264-5 TO-264-5

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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