对比图
型号 IXFH320N10T2 IXFT320N10T2
描述 N沟道 100V 320AN沟道 100V 320A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 1000 W 1000 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 320A 320A
上升时间 46 ns 46 ns
输入电容(Ciss) 26000pF @25V(Vds) 26000pF @25V(Vds)
下降时间 177 ns 177 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000W (Tc) 1000W (Tc)
通道数 1 -
漏源极电阻 3.5 mΩ -
阈值电压 4 V -
漏源击穿电压 100 V -
额定功率(Max) 1000 W -
封装 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free