IXFX34N80和IXFX44N60

对比图

型号 IXFX34N80 IXFX44N60 APT8020B2LL

描述 IXFX 系列 单 N 沟道 800 V 240 mOhm 560 W 功率 Mosfet - PLUS247单 N-沟道 600 V 560 W 330 nC 通孔 功率 Mosfet - PLUS247Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) T-MAX

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

额定电压(DC) 800 V 600 V -

额定电流 34.0 A 44.0 A -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 240 mΩ 130 mΩ -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 560000 mW 560 W -

阈值电压 - 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 600 V -

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 34.0 A 44.0 A -

上升时间 45 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 8900pF @25V(Vds) -

下降时间 40 ns 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 560W (Tc) 560W (Tc) -

长度 - 16.13 mm -

宽度 5.21 mm 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -