IRF840PBF和SIHP8N50D-GE3的区别_IRF840PBF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF840PBF SIHP8N50D-GE3 IRF840

描述功率MOSFET Power MOSFETN 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN沟道功率MOSFET ， 8A ， 450 V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.85 Ω 0.7 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 125 W 156 W -

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.7A -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 527pF @100V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 156 W -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 8.00 A - -

额定功率 125 W - -

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 23 ns - -

额定功率(Max) 125 W - -

下降时间 20 ns - -

长度 - 10.51 mm -

宽度 - 4.65 mm -

高度 - 9.01 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

包装方式 Tube Bulk -

最小包装 50 50 -

产品生命周期 Active - Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

香港进出口证 NLR - -