NSBA124EDXV6T1和PEMB1,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBA124EDXV6T1 PEMB1,115

描述 SOT-563 PNP 50V 100mASOT-666 PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-563-6 SOT-666-6

极性 PNP PNP

耗散功率 357 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

额定电压(DC) -50.0 V -

额定电流 -100 mA -

最大电流放大倍数(hFE) 60 -

高度 0.55 mm 0.6 mm

封装 SOT-563-6 SOT-666-6

长度 1.6 mm -

宽度 1.2 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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