STD4N52K3和STU4N52K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD4N52K3 STU4N52K3 KF3N50IZ

描述 N沟道525 V, 2.5 A , 2.1 ? (典型值) , SuperMESH3a ? ¢功率MOSFET采用DPAK , TO- 220FP , TO- 220和IPAK封装 N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ω typ., SuperMESH3™ Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 TO-252-3 TO-251-3 -

引脚数 - 3 -

通道数 1 - -

漏源极电阻 1.95 Ω - -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 45 W 45 W -

阈值电压 4.5 V - -

输入电容 334 pF - -

漏源极电压(Vds) 525 V 525 V -

漏源击穿电压 525 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.5A 2.5A -

上升时间 7 ns 7 ns -

输入电容(Ciss) 334pF @100V(Vds) 334pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 45 W - -

下降时间 14 ns 14 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-251-3 -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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