IXTA230N075T2和IXTP230N075T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA230N075T2 IXTP230N075T2 IXTA220N075T7

描述 Mosfet n-Ch 75V 230A To-263N沟道 75V 230AMOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-7

漏源极电阻 4.2 mΩ - -

耗散功率 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 75 V - -

上升时间 18 ns 18 ns -

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 10500pF @25V(Vds) 7700pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

极性 - N-CH -

阈值电压 - 2 V -

连续漏极电流(Ids) - 230A -

额定功率(Max) - 480 W -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-7

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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