对比图
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 250V 3.6A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RPower Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
封装 TO-263 TO-263-3 -
额定电压(DC) - 250 V -
额定电流 - 3.60 A -
极性 - N-CH -
耗散功率 - 3.13W (Ta), 52W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 250 V -
连续漏极电流(Ids) - 3.60 A -
输入电容(Ciss) - 200pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 52W (Tc) -
封装 TO-263 TO-263-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 - Tape -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -