1N4104-BP和JANTXV1N4104-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4104-BP JANTXV1N4104-1 JANTX1N4104C

描述 DO-35 10V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 480 mW 500 mW

稳压值 10 V 10 V 10 V

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 0.25 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Bag -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

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