BZX85C12 SB00018/E1和BZX85C12-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C12 SB00018/E1 BZX85C12-TAP BZX85-C12

描述 VISHAY BZX85C12 SB00018/E1 Zener Single Diode, 12V, 1.3W, DO-41, 5%, 2Pins, 175℃VISHAY  BZX85C12-TAP  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °CFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX85-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

耗散功率 1.3 W 1.3 W 1 W

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 12 V 12 V 12 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 200 ℃

额定电压(DC) - - 12.0 V

额定功率 - 1.3 W 1.00 W

击穿电压 - 12.0 V 12.0 V

针脚数 - 2 2

容差 - ±5 % -

额定功率(Max) - 1.3 W -

耗散功率(Max) - 1.3 W -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 - 4.1 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

包装方式 Each Each Each

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - 175 ℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台