对比图
型号 TLV2252AIDRG4 TLV2252AQDRQ1 TLV2252AIDR
描述 高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS低电压 LinCMOS 运算放大器，TLV 系列### 运算放大器，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 70 µA 70 µA 70 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 0.725 W 725 mW 0.725 W
共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB
输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K
带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz
转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs
增益频宽积 0.2 MHz 200 kHz 200 kHz
输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 0.2 MHz 0.2 MHz 0.2 MHz
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
电源电压(Max) - 16 V 8 V
电源电压(Min) - 2.7 V 2.7 V
输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA
电源电压 - - 2.7V ~ 8V
长度 - 4.9 mm 4.9 mm
宽度 - 3.91 mm 3.91 mm
高度 - 1.58 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free