199D475X0035C6V1E3和199D475X9035C6V1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D475X0035C6V1E3 199D475X9035C6V1E3

描述 CAP TANT 4.7uF 35V 20% RADIAL199D 系列 4.7 uF ±10 % 35 V 径向 固体 电解质钽电容

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 - Radial

额定电压(DC) - 35.0 V

电容 4.70 µF 4.7 µF

容差 ±20 % ±10 %

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

额定电压 35 V 35 V

封装 - Radial

介质材料 - Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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