IPP200N15N3GHKSA1和IPP200N15N3GXKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP200N15N3GHKSA1 IPP200N15N3GXKSA1

描述 TO-220 N-CH 150V 50A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 150 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.016 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 150W (Tc) 150 W

阈值电压 - 3 V

输入电容 - 1820 pF

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A

上升时间 - 11 ns

输入电容(Ciss) 1820pF @75V(Vds) 1820pF @75V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W

下降时间 - 6 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

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