MXP6KE150AE3和MXP6KE150ATRE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MXP6KE150AE3 MXP6KE150ATRE3 MXP6KE150A

描述 128V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 128V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PINESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage Suppressor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 2

封装 T-18-2 - T-18-2

钳位电压 - - 207 V

最大反向电压(Vrrm) 128V - 128V

测试电流 - - 1 mA

脉冲峰值功率 600 W - 600 W

最小反向击穿电压 143 V - 143 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

工作结温 - - -65℃ ~ 150℃

封装 T-18-2 - T-18-2

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司