对比图
型号 TLE2022AID TLE2022AIDR TLE2022ACD
描述 TEXAS INSTRUMENTS TLE2022AID 芯片, 运算放大器, 1.7MHz, 0.5V/uS, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS TLE2022AIDR 运算放大器, 2.8 MHz, 2个放大器, 0.65 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS TLE2022ACD 运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 ≤30 mA ≤30 mA ≤30 mA
供电电流 550 µA 550 µA 550 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W
共模抑制比 87 dB 87 dB 87 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K
带宽 1.7 MHz 2.8 MHz 1.7 MHz
转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 500 mV/μs
增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz
输入补偿电压 120 µV 120 µV 120 µV
输入偏置电流 33 nA 33 nA 33 nA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
增益带宽 2.8 MHz 1.7 MHz 2.8 MHz
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) 87 dB 87 dB 87 dB
电源电压 - 4V ~ 40V -
电源电压(Max) - 40 V -
电源电压(Min) - 4 V -
工作电压 4V ~ 40V - -
电源电压(DC) - - 40.0 V
高度 1.58 mm 1.5 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.91 mm - 3.91 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -