71124S20YGI和IDT71124S20YI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71124S20YGI IDT71124S20YI CY7C109B-20VC

描述 IC SRAM 1Mbit 20NS 32SOJCMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)引脚革命 CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-32 BSOJ-32 BSOJ-32

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 32 - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - - 20.0 GHz

存取时间 - - 20.0 ns

内存容量 - - 1000000 B

封装 BSOJ-32 BSOJ-32 BSOJ-32

长度 20.9 mm - -

宽度 10.2 mm - -

厚度 2.20 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

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