FQS4901和STS1DNC45

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQS4901 STS1DNC45 FQS4901TF

描述 400V双N沟道MOSFET 400V Dual N-Channel MOSFET450V,0.4A,双路N沟道MOSFETFQS4901 系列 400 V 4.2 Ohm 表面贴装 双 N沟道 Mosfet - SOP-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 450 V -

额定电流 - 400 mA -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 4.1 Ω 3.2 Ω

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 400 V 450 V 400 V

漏源击穿电压 - 450 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 0.45A 400 mA -

上升时间 - 4 ns 20 ns

输入电容(Ciss) - 160pF @25V(Vds) 210pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.6 W 2 W

下降时间 - 12 ns 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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