FDW2502P和IRF7750GPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDW2502P IRF7750GPBF NTMD6P02R2SG

描述 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETTSSOP P-CH 20V 4.7A功率MOSFET 6 A, 20 V , PA ????频道SOICâ ???? 8 ,双 Power MOSFET 6 A, 20 V, P−Channel SOIC−8, Dual

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP-8 TSSOP SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 P-Channel P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4.40 A 4.7A 7.80 A

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -4.40 A - -7.80 A

通道数 - - 2

漏源极电阻 35.0 mΩ - 33 mΩ

耗散功率 1.00 W - 2 W

输入电容 - - 1.70 nF

栅电荷 - - 35.0 nC

漏源击穿电压 - - 20 V

输入电容(Ciss) 1465pF @10V(Vds) - 1700pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 600 mW - 750 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

封装 TSSOP-8 TSSOP SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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