CY7C199N-12ZXC和IS61C256AL-12TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C199N-12ZXC IS61C256AL-12TLI AS7C256A-12TCN

描述 32K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAMRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)AS7C256A 系列 256 kb (32 K x 8) 5 V 12 ns CMOS 静态 RAM - TSOP I-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 28 28 -

封装 TSOP TSOP-28 TSOP-28

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 5 V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V

工作电压 - 5 V 4.5V ~ 5.5V

存取时间 - 12 ns 12 ns

供电电流 - 40 mA -

针脚数 - 28 -

位数 - 8 -

内存容量 - 32000 B -

存取时间(Max) - 12 ns -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

高度 1.02 mm 1 mm -

封装 TSOP TSOP-28 TSOP-28

长度 - 8.1 mm -

宽度 - 11.9 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司