ALF08N16V和BUZ900P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ALF08N16V BUZ900P

描述 SEMELAB  ALF08N16V  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 160 VSEMELAB  BUZ900P  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 160 V, 1.5 ohm, 1.5 V

数据手册 --

制造商 Semelab Semelab

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247 TO-247

针脚数 3 3

漏源极电阻 - 1.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 125 W

阈值电压 - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 160 V 160 V

连续漏极电流(Ids) - 8.00 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) 500pF @10V(Vds) -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 125 W -

封装 TO-247 TO-247

长度 16.26 mm -

宽度 5.31 mm -

高度 21.46 mm -

产品生命周期 - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

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