BU921T和BU931T

对比图

型号 BU921T BU931T TIP152

描述 高电压功率耗散 HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATIONNPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。t-Npn Si-Hiv Darlington

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 双极性晶体管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 105000 mW 125 W -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V -

集电极最大允许电流 10A 15A -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 105000 mW 125000 mW -

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 10.0 A -

针脚数 - 3 -

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @5A, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) - 125 W -

直流电流增益(hFE) - 300 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - 175℃ (TJ) -